테브낭화 2

GROB's basic electronics 회로 이론-8.회로망정리(브리지회로의 테브낭화)

브리지 회로의 테브낭화 테브낭 정리의 전 포스트와 다른 예로 아래 회로 그림의 브리지 회로의 중앙에 있는 2Ω의 RL에 흐르는 전류를 구해 본다. 단자 A와 B를 개방하기 위해 R(L)을 제거한 결과를 아래 회로 그림으로 나타내었다. 개방 단자 A 가 R3 R4의 연결점이기 때문에 이분 배기의 A점 전위를 구하는 데 사용할 수 있다. 마찬가지로 단자 B에서의 전위는 R1-R2 분배기에서 구할 수 있다. 그때 V(AB)는 단자 A와 B사이의 전위차다. 두 분배기에서의 전압을 주목해야 한다. 3Ω의 R3와 6Ω의 R4로 구성된 분배기에서 밑에 있는 전압 V(R4)는 6/9X30=20V이다. 그때 위에 있는 전압 V(R3)은 두 전압을 더 해서 30V가 돼야 하기에 자연스럽게 10V가 된다. 극성은 전압원 V..

공학/전기 2022.08.10

GROB's basic electronics 회로 이론-8.회로망정리(전압원이 2개인회로의 테브낭화)

전압원이 2 개인 회로의 테브낭화 아래 회로 그림은 이미 키르히 호프의 법칙으로 풀어 보았으나 여기서는 테브낭 정리를 사용하여 중간에 있는 저항 R3에 흐르는 전류 I3 구해본다 아래 회로 그림처럼 먼저 R3 양 단의 단자를 A와 B로 표시한다 위 회로 그림에서 R3은 연결하지 않는다 V(TH)를 계산하기 위해 개방 단자 양단의 V(AB)를 구한다. 중첩 정리 적용 전원이 2개일 때 중첩 정리를 적용하여 V(AB)를 계산할 수 있다. 먼저 V2를 단락 시킨다 그러면 84V의 V1이 R1과 R2에 분배된다. R2 양 단의 전압은 단자 A와 B 사이의 전압이다. R2에 분배되는 전압을 계산하면 이 값은 오직 V1으로 인한 V(AB)의 값이다. 단자 A에서의 극성은(+)이다. V2로 인해 A와 B사이에서 발생..

공학/전기 2022.08.09