테브낭정리 3

GROB's basic electronics 회로 이론-8.회로망정리(브리지회로의 테브낭화)

브리지 회로의 테브낭화 테브낭 정리의 전 포스트와 다른 예로 아래 회로 그림의 브리지 회로의 중앙에 있는 2Ω의 RL에 흐르는 전류를 구해 본다. 단자 A와 B를 개방하기 위해 R(L)을 제거한 결과를 아래 회로 그림으로 나타내었다. 개방 단자 A 가 R3 R4의 연결점이기 때문에 이분 배기의 A점 전위를 구하는 데 사용할 수 있다. 마찬가지로 단자 B에서의 전위는 R1-R2 분배기에서 구할 수 있다. 그때 V(AB)는 단자 A와 B사이의 전위차다. 두 분배기에서의 전압을 주목해야 한다. 3Ω의 R3와 6Ω의 R4로 구성된 분배기에서 밑에 있는 전압 V(R4)는 6/9X30=20V이다. 그때 위에 있는 전압 V(R3)은 두 전압을 더 해서 30V가 돼야 하기에 자연스럽게 10V가 된다. 극성은 전압원 V..

공학/전기 2022.08.10

GROB's basic electronics 회로 이론-8.회로망정리(전압원이 2개인회로의 테브낭화)

전압원이 2 개인 회로의 테브낭화 아래 회로 그림은 이미 키르히 호프의 법칙으로 풀어 보았으나 여기서는 테브낭 정리를 사용하여 중간에 있는 저항 R3에 흐르는 전류 I3 구해본다 아래 회로 그림처럼 먼저 R3 양 단의 단자를 A와 B로 표시한다 위 회로 그림에서 R3은 연결하지 않는다 V(TH)를 계산하기 위해 개방 단자 양단의 V(AB)를 구한다. 중첩 정리 적용 전원이 2개일 때 중첩 정리를 적용하여 V(AB)를 계산할 수 있다. 먼저 V2를 단락 시킨다 그러면 84V의 V1이 R1과 R2에 분배된다. R2 양 단의 전압은 단자 A와 B 사이의 전압이다. R2에 분배되는 전압을 계산하면 이 값은 오직 V1으로 인한 V(AB)의 값이다. 단자 A에서의 극성은(+)이다. V2로 인해 A와 B사이에서 발생..

공학/전기 2022.08.09

GROB's basic electronics 회로 이론-8.회로망정리(테브낭정리)

테브낭 정리는 회로 망내의 미지 전압과 전류값들을 해석하는 과정을 단순화하는데 매우 유용하게 사용된다. 테브낭 정리에 의해 많은 전원과 부품들은 어떻게 연결되어 있든지 간에 회로 망내의 어느 두단 자에 대한 등가의 직렬회로로 표현 가능하다. 아래 회로 그림에서 왼쪽에 있는 블록은 A와 B단자에 연결된 회로망을 포함하고 있다고 가정하자. 테브낭 정리에 의해 A와 B에 연결된 전체 회로망은 저항 R(TH) 1개와 직렬인 전압원 V(TH) 1개가 동일한 두단 자에 연결된 회로로 대치될 수 있다. 전압 V(TH)는 단자 A와 B 양단에 걸리는 개방 회로의 전압이다. 이 전압을 구하는 방법은 A와 B사이를 개방하고 두단 자에 걸리는 전압을 측정한다. V(TH)의 극성은 원래의 회로망과 같은 방향으로 A에서 B로 ..

공학/전기 2022.08.08